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创毅成功推40纳米TD-LTE终端基带芯片WarpDrive5000

2011年9月,国内领先的移动通信终端芯片解决方案及终端设备提供商创毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺 WarpDrive 5000芯片。该款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模,采用40纳米工艺,兼容3GPP LTE 标准 (Release-9),采用超低功耗设计,支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换,支持CAT4速率等级,下行高达150Mbps,值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的芯片。

早在2007 年创毅就启动了TD-LTE 终端基带芯片研发项目。2010 年4 月创毅成功推出全球首枚TD-LTE 终端芯片与终端数据卡,并服务于2010 年上海世博会。2011年5月创毅入选由工信部组织的“6+1”城市TD-LTE 规模技术试验网测试及建设,并在广州,杭州,厦门,南京,深圳,与多家系统厂商展开测试。同时在GCF认证测试中与罗德,安奈特等国际厂商取得业内领先的技术成果,并在深圳大运会中配合系统厂商成功展开4G业务演示。

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